Новые 256Гб V-NAND модули флеш-памяти отличаются максимальной скоростью передачи данных в отрасли и впервые используют Toggle DDR 4.0 NAND интерфейс

Благодаря Toggle DDR 4.0 интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными (Гб) V-NAND модулями флеш-памяти Samsung достигла 1.4 гигабит в секунду (Гбит/сек.), что на 40% выше скорости 64-слойного предшественника.

Энергоэффективность новых V-NAND флеш-модулей Samsung по показателям близка к показателям 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1.2 вольт. Кроме того, новые V-NAND модули отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд (μs), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. Также значительно сокращено время реакции на считывание сигнала – до 50 микросекунд (μs).

V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения включают 90 слоев ячеек (максимальное количество слоев в отрасли), изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Ячейки сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров , в свою очередь, содержат более 85 миллиардов CTF ячеек, каждая из которых может хранить три бита данных. Эта инновационная технология производства модулей памяти является результатом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новых производственных процессов.

Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более, чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высоту слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечила устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки данных ячейки.

"Пятое поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить быстро растущему премиум сегменту мирового рынка наиболее совершенные микросхемы NAND памяти. Кроме выдающихся достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные (Tб) и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти следующего поколения", – говорит Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics.

Учитывая растущие требования рынка, компания Samsung планирует быстро увеличить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с высокой плотностью записи, используемых в таких критически важных сферах, как производство суперкомпьютеров, промышленных серверов и премиальных смартфонов.

Получить более подробную информацию о новых накопителях Samsung и оформить заказ можно связавшись со специалистами компании Tatris по e-mail: info@tatris.ru или по телефону +7 800 100-7-001.